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參數(shù)資料
| 型號： | A3PN030-ZQNG48 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 22/114頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 30K GATES 48-QFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 260 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| 輸入/輸出數(shù)： | 34 |
| 門數(shù)： | 30000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 48-VFQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 48-QFN（6x6） |
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Revision 11
2-1
2 – ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
General Specifications
The Z feature grade does not support the enhanced nano features of Schmitt trigger input, cold-sparing,
and hot-swap I/O capability. Refer to the "ProASIC3 nano Ordering Information" section on page III for
more information.
DC and switching characteristics for –F speed grade targets are based only on simulation.
The characteristics provided for the –F speed grade are subject to change after establishing FPGA
specifications. Some restrictions might be added and will be reflected in future revisions of this
document. The –F speed grade is only supported in the commercial temperature range.
Operating Conditions
Stresses beyond those listed in Table 2-1 may cause permanent damage to the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Absolute Maximum Ratings are stress ratings only; functional operation of the device at these or any
other conditions beyond those listed under the Recommended Operating Conditions specified in
Table 2-2 on page 2-2 is not implied.
Table 2-1 Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Limits
Units
VCC
DC core supply voltage
–0.3 to 1.65
V
VJTAG
JTAG DC voltage
–0.3 to 3.75
V
VPUMP
Programming voltage
–0.3 to 3.75
V
VCCPLL
Analog power supply (PLL)
–0.3 to 1.65
V
VCCI
DC I/O output buffer supply voltage
–0.3 to 3.75
V
VI
I/O input voltage
–0.3 V to 3.6 V
V
TSTG 1
Storage temperature
–65 to +150
°C
TJ 1
Junction temperature
+125
°C
Notes:
1. For flash programming and retention maximum limits, refer to Table 2-3 on page 2-2, and for recommended operating
limits, refer to Table 2-2 on page 2-2.
2. VMV pins must be connected to the corresponding VCCI pins. See the "VMVx I/O Supply Voltage (quiet)" section on
page 3-1 for further information.
3. The device should be operated within the limits specified by the datasheet. During transitions, the input signal may
undershoot or overshoot according to the limits shown in Table 2-4 on page 2-3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ESA50DTAD | CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD |
| SST38VF6403-90-5I-B3KE | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TFBGA |
| EMA50DTAD | CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD |
| SST38VF6404-90-5I-B3KE | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TFBGA |
| GSC60DRTS-S93 | CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| A3PN030-ZQNG68 | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN030-ZQNG68I | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN030-ZVQ100 | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14） |
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