2-30 Revision 11 2.5 V LVCMOS Low-Voltage CMOS for 2.5 V is an extension of the LVCMOS stand" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN030-Z2QNG68I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 54/114頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 260
系列： ProASIC3 nano
輸入/輸出數(shù)： 49
門數(shù)： 30000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 68-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 68-QFN（8x8）
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-30
Revision 11
2.5 V LVCMOS
Low-Voltage CMOS for 2.5 V is an extension of the LVCMOS standard (JESD8-5) used for general-
purpose 2.5 V applications.
Table 2-38 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
2.5 V LVCMOS
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH
IOSL
IOSH
IIL1 IIH2
Drive Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3
A4 A4
2 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
2
16
18
10
4 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
4
16
18
10
6 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
6
32
37
10
8 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
8
32
37
10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operation conditions where –0.3 V < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions VIH < VIN < VCCI. Input current is
larger when operating outside recommended ranges.
3. Currents are measured at high temperature (100°C junction temperature) and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Software default selection highlighted in gray.
Figure 2-7 AC Loading
Table 2-39 2.5 V LVCMOS AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input LOW (V)
Input HIGH (V)
Measuring Point* (V)
CLOAD (pF)
02.5
1.2
10
Notes:
1. Measuring point = Vtrip. See Table 2-16 on page 2-17 for a complete table of trip points.
2. Capacitive Load for A3PN060, A3PN125, and A3PN250 is 35 pF.
Test Point
Enable Path
Datapath
35 pF
R = 1 k
R to VCCI for tLZ / tZL / tZLS
R to GND for tHZ / tZH / tZHS
35 pF for tZH / tZHS / tZL / tZLS
35 pF for tHZ / tLZ
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PDF描述
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