2-70 Revision 11 Embedded FlashROM Characteristics Timing Characteristics Figure 2-39
參數(shù)資料
型號： A3PN030-Z1VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 98/114頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
輸入/輸出數(shù)： 77
門數(shù)： 30000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-70
Revision 11
Embedded FlashROM Characteristics
Timing Characteristics
Figure 2-39 Timing Diagram
A0
A1
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tCKQ2
CLK
Address
Data
D0
D1
Table 2-77 Embedded FlashROM Access Time
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tSU
Address Setup Time
0.53
0.61
0.71
ns
tHOLD
Address Hold Time
0.00
ns
tCK2Q
Clock to Out
16.23
18.48
21.73
ns
FMAX
Maximum Clock Frequency
15.00
MHz
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PDF描述
A3P030-1VQG100I IC FPGA 1KB FLASH 30K 100-VQFP
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A3PN030-Z2QNG68I 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
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