Revision 13 2-141 Table 2-217 RAM512X18 – Applies to 1.2 V DC Core Voltage Commercial-Cas" />
參數(shù)資料
型號： A3PE3000L-1FG324I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 65/242頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 3M 324-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： ProASIC3EL
RAM 位總計： 516096
輸入/輸出數(shù)： 221
門數(shù)： 3000000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 324-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 324-FBGA（19x19）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁當(dāng)前第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁
ProASIC3L Low Power Flash FPGAs
Revision 13
2-141
Table 2-217 RAM512X18 – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V
Parameter
Description
–1
Std. Units
tAS
Address setup time
0.33 0.39
ns
tAH
Address hold time
0.00 0.00
ns
tENS
REN, WEN setup time
0.12 0.14
ns
tENH
REN, WEN hold time
0.08 0.09
ns
tDS
Input data (WD) setup time
0.24 0.29
ns
tDH
Input data (WD) hold time
0.00 0.00
ns
tCKQ1
Clock High to new data valid on RD (output retained, WMODE = 0)
2.88 3.39
ns
tCKQ2
Clock High to new data valid on RD (pipelined)
1.19 1.40
ns
tC2CRWH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable read access after write on same
address – applicable to opening edge
0.25 0.29
ns
tC2CWRH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable write access after read on same
address – applicable to opening edge
0.31 0.36
ns
tRSTBQ
RESET Low to data out Low on RD (flow-through)
1.23 1.45
ns
RESET Low to data out Low on RD (pipelined)
1.23 1.45
ns
tREMRSTB
RESET removal
0.38 0.45
ns
tRECRSTB
RESET recovery
2.00 2.35
ns
tMPWRSTB RESET minimum pulse width
0.63 0.72
ns
tCYC
Clock cycle time
5.75 6.61
ns
FMAX
Maximum frequency
174 151 MHz
Notes:
1. For more information, refer to the application note Simultaneous Read-Write Operations in Dual-Port SRAM for Flash-
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values
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PDF描述
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A3PE3000L-1FG484I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3EL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計:129024 輸入/輸出數(shù):248 門數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP，帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP（75x75）
A3PE3000L-1FG484M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA ProASIC?3EL Family 3M Gates 130nm Technology 1.2V/1.5V 484-Pin FBGA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA PROASIC3EL FAMILY 3M GATES 130NM (CMOS) TECHNOLOGY 1.2 - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 484FBGA
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A3PE3000L-1FG896I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 3M 896-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3EL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計:129024 輸入/輸出數(shù):248 門數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP，帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP（75x75）
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