2-62 Revision 13 Timing Characteristics Figure 2-33 Output DDR Timing Diagram 11 6 1 7 2" />
參數(shù)資料
型號(hào): A3PE1500-1FG484
廠商: Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù): 137/162頁(yè)
文件大小: 0K
描述: IC FPGA 1KB FLASH 1.5M 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 40
系列: ProASIC3E
RAM 位總計(jì): 276480
輸入/輸出數(shù): 280
門(mén)數(shù): 1500000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 484-FPBGA(23x23)
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)當(dāng)前第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)
ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-62
Revision 13
Timing Characteristics
Figure 2-33 Output DDR Timing Diagram
11
6
1
7
2
8
3
910
45
28
3
9
tDDROREMCLR
tDDROHD1
tDDROREMCLR
tDDROHD2
tDDROSUD2
tDDROCLKQ
tDDRORECCLR
CLK
Data_R
Data_F
CLR
Out
tDDROCLR2Q
710
4
Table 2-92 Output DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tDDROCLKQ
Clock-to-Out of DDR for Output DDR
0.70
0.80
0.94
ns
tDDROSUD1
Data_F Data Setup for Output DDR
0.38
0.43
0.51
ns
tDDROSUD2
Data_R Data Setup for Output DDR
0.38
0.43
0.51
ns
tDDROHD1
Data_F Data Hold for Output DDR
0.00
ns
tDDROHD2
Data_R Data Hold for Output DDR
0.00
ns
tDDROCLR2Q
Asynchronous Clear-to-Out for Output DDR
0.80
0.91
1.07
ns
tDDROREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for Output DDR
0.00
ns
tDDRORECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for Output DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDROWCLR1
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Output DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDROCKMPWH
Clock Minimum Pulse Width High for the Output DDR
0.36
0.41
0.48
ns
tDDROCKMPWL
Clock Minimum Pulse Width Low for the Output DDR
0.32
0.37
0.43
ns
FDDOMAX
Maximum Frequency for the Output DDR
1404 1232 1048
MHz
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述
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A3PE1500-1FG676I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1.5M 676-FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列) 系列:ProASIC3E 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs Cyclone IV FPGA Family Overview 特色產(chǎn)品:Cyclone? IV FPGAs 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:CYCLONE® IV GX LAB/CLB數(shù):9360 邏輯元件/單元數(shù):149760 RAM 位總計(jì):6635520 輸入/輸出數(shù):270 門(mén)數(shù):- 電源電壓:1.16 V ~ 1.24 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FBGA(23x23)
A3PE1500-1FG896 制造商:ACTEL 制造商全稱(chēng):Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs
A3PE1500-1FG896ES 制造商:ACTEL 制造商全稱(chēng):Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs