2-44 Revision 13 Table 2-54 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS HIgh Slew Commercial-Case Conditions: TJ " />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3P250-2PQ208I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 175/220頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 208-PQFP
產(chǎn)品變化通告： A3P250,A3P125 Wire Change 12/jan/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 24
系列： ProASIC3
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 151
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 208-BFQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 208-PQFP（28x28）
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ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-44
Revision 13
Table 2-54 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS HIgh Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard I/O Banks
Drive
Strength
Equiv.
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
100 A
2 mA
Std.
0.60
10.93
0.04
1.52
0.43
10.93
9.46
3.20
3.32
ns
–1
0.51
9.29
0.04
1.29
0.36
9.29
8.04
2.72
2.82
ns
–2
0.45
8.16
0.03
1.13
0.32
8.16
7.06
2.39
2.48
ns
100 A
4 mA
Std.
0.60
10.93
0.04
1.52
0.43
10.93
9.46
3.20
3.32
ns
–1
0.51
9.29
0.04
1.29
0.36
9.29
8.04
2.72
2.82
ns
–2
0.45
8.16
0.03
1.13
0.32
8.16
7.06
2.39
2.48
ns
100 A
6 mA
Std.
0.60
6.82
0.04
1.52
0.43
6.82
5.70
3.70
4.16
ns
–1
0.51
5.80
0.04
1.29
0.36
5.80
4.85
3.15
3.54
ns
–2
0.45
5.09
0.03
1.13
0.32
5.09
4.25
2.77
3.11
ns
100 A
8 mA
Std.
0.60
6.82
0.04
1.52
0.43
6.82
5.70
3.70
4.16
ns
–1
0.51
5.80
0.04
1.29
0.36
5.80
4.85
3.15
3.54
ns
–2
0.45
5.09
0.03
1.13
0.32
5.09
4.25
2.77
3.11
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. Software default selection highlighted in gray.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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