Revision 13 2-41 Table 2-51 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew Commercial-Case Conditions: T" />
參數(shù)資料
型號： A3P250-1FGG256T
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 172/220頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 256-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 157
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁當(dāng)前第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 Flash Family FPGAs
Revision 13
2-41
Table 2-51 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Equiv.
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN tPY tEOUT tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
100 A
2 mA
Std.
0.60
15.86 0.04 1.54 0.43 15.86 13.51 4.09 3.80 19.25 16.90
ns
–1
0.51
13.49 0.04 1.31 0.36 13.49 11.49 3.48 3.23 16.38 14.38
ns
–2
0.45
11.84 0.03 1.15 0.32 11.84 10.09 3.05 2.84 14.38 12.62
ns
100 A
4 mA
Std.
0.60
11.25 0.04 1.54 0.43 11.25 9.54 4.61 4.70 14.64 12.93
ns
–1
0.51
9.57 0.04 1.31 0.36
9.57
8.11 3.92 4.00 12.46 11.00
ns
–2
0.45
8.40 0.03 1.15 0.32
8.40
7.12 3.44 3.51 10.93 9.66
ns
100 A
6 mA
Std.
0.60
11.25 0.04 1.54 0.43 11.25 9.54 4.61 4.70 14.64 12.93
ns
–1
0.51
9.57 0.04 1.31 0.36
9.57
8.11 3.92 4.00 12.46 11.00
ns
–2
0.45
8.40 0.03 1.15 0.32
8.40
7.12 3.44 3.51 10.93 9.66
ns
100 A
8 mA
Std.
0.60
8.63 0.04 1.54 0.43
8.63
7.39 4.96 5.28 12.02 10.79
ns
–1
0.51
7.34 0.04 1.31 0.36
7.34
6.29 4.22 4.49 10.23 9.18
ns
–2
0.45
6.44 0.03 1.15 0.32
6.44
5.52 3.70 3.94 8.98
8.06
ns
100 A
16 mA
Std.
0.60
8.05 0.04 1.54 0.43
8.05
6.93 5.03 5.43 11.44 10.32
ns
–1
0.51
6.85 0.04 1.31 0.36
6.85
5.90 4.28 4.62 9.74
8.78
ns
–2
0.45
6.01 0.03 1.15 0.32
6.01
5.18 3.76 4.06 8.55
7.71
ns
100 A
24 mA
Std.
0.60
7.50 0.04 1.54 0.43
7.50
6.90 5.13 6.00 10.89 10.29
ns
–1
0.51
6.38 0.04 1.31 0.36
6.38
5.87 4.36 5.11 9.27
8.76
ns
–2
0.45
5.60 0.03 1.15 0.32
5.60
5.15 3.83 4.48 8.13
7.69
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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