Revision 13 2-45 Table 2-52 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
參數(shù)資料
型號(hào): A3P1000L-FG484
廠商: Microsemi SoC
文件頁數(shù): 201/242頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 40
系列: ProASIC3L
RAM 位總計(jì): 147456
輸入/輸出數(shù): 300
門數(shù): 1000000
電源電壓: 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 484-FPBGA(23x23)
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ProASIC3L Low Power Flash FPGAs
Revision 13
2-45
Table 2-52 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
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5.11
0.04
0.91
0.38
5.21
4.33
2.38
2.21
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ns
–1
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2.02
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ns
6 mA
Std.
0.54
4.30
0.04
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4.38
3.75
2.68
2.74
6.39
5.76
ns
–1
0.46
3.66
0.03
0.78
0.33
3.73
3.19
2.28
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ns
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Std.
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4.65
4.48
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-53 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
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Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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