2-24 Revision 13 Table 2-26 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
參數(shù)資料
型號(hào)： A3P1000-1PQ208I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 153/220頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1M 208-PQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 24
系列： ProASIC3
RAM 位總計(jì)： 147456
輸入/輸出數(shù)： 154
門數(shù)： 1000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 208-BFQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 208-PQFP（28x28）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁當(dāng)前第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-24
Revision 13
Table 2-26 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
–2 Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI (per standard)
Standard I/O Banks
I/O Standard
D
rive
S
tre
ng
th
Equiv
.Sof
tware
Default
Dri
v
eS
tre
ng
th
Opt
ion
1
Slew
Rate
C
ap
a
citive
L
o
a
d
(pF
)
Ex
tern
al
Re
sistor
t DO
UT
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t EOUT
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
Un
it
s
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
8 mA
High
35
–
0.45 3.29 0.03 0.75 0.32 3.36 2.80 1.79 2.01
ns
3.3 V LVCMOS
Wide Range2
100 A 8 mA
High
35
–
0.45 5.09 0.03 1.13 0.32 5.09 4.25 2.77 3.11
ns
2.5 V LVCMOS
8 mA
High
35
–
0.45 3.56 0.03 0.96 0.32 3.40 3.56 1.78 1.91
ns
1.8 V LVCMOS
4 mA
High
35
–
0.45 4.74 0.03 0.90 0.32 4.02 4.74 1.80 1.85
ns
1.5 V LVCMOS
2 mA
High
35
–
0.45 5.71 0.03 1.06 0.32 4.71 5.71 1.83 1.83
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD-8B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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