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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A3P030-1VQ100I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 213/220頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 30K 100-VQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 77 |
| 門數(shù)： | 30000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 100-TQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-78
Revision 13
Output DDR Module
Figure 2-21 Output DDR Timing Model
Table 2-103 Parameter Definitions
Parameter Name
Parameter Definition
Measuring Nodes (from, to)
tDDROCLKQ
Clock-to-Out
B, E
tDDROCLR2Q
Asynchronous Clear-to-Out
C, E
tDDROREMCLR
Clear Removal
C, B
tDDRORECCLR
Clear Recovery
C, B
tDDROSUD1
Data Setup Data_F
A, B
tDDROSUD2
Data Setup Data_R
D, B
tDDROHD1
Data Hold Data_F
A, B
tDDROHD2
Data Hold Data_R
D, B
Data_F
(from core)
CLK
CLKBUF
Out
FF2
INBUF
CLR
DDR_OUT
Output DDR
FF1
0
1
X
A
B
D
E
C
B
OUTBUF
Data_R
(from core)
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