參數(shù)資料
型號： A160CT12VI
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
中文描述： 16兆位（2米× 8位/ 1個M x 16位），1.8伏的CMOS只超低電壓快閃記憶體
文件頁數(shù)： 39/52頁
文件大小： 614K
代理商： A160CT12VI
January23,2007 21635C5
Am29SL160C
37
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
-100
-120
-150
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
10
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
50
60
60
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
100
120
150
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
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PDF描述
A160CT15VC 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
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