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參數(shù)資料
| 型號： | A1010B-2PQ100I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 49/98頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1200 GATES 100-PQFP IND |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 66 |
| 系列： | ACT™ 1 |
| LAB/CLB數(shù)： | 295 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 57 |
| 門數(shù)： | 1200 |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 100-BQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 100-PQFP（14x20） |
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53
Hi R e l F P GA s
A3 22 00 DX Ti m i n g Ch ar ac te r i st i c s (continued)
(Wor s t - C as e M i l i t a r y Cond i t i o n s , V CC = 4.5 V, TJ = 1 25°C)
‘–1’ Speed
‘Std’ Speed
Parameter
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
Synchronous SRAM Operations
tRC
Read Cycle Time
8.8
11.8
ns
tWC
Write Cycle Time
8.8
11.8
ns
RCKHL
Clock High/Low Time
4.4
5.9
ns
tRCO
Data Valid After Clock High/Low
4.4
5.9
ns
tADSU
Address/Data Setup Time
2.1
2.8
ns
tADH
Address/Data Hold Time
0.0
ns
tRENSU
Read Enable Setup
0.8
1.1
ns
tRENH
Read Enable Hold
4.4
5.9
ns
Write Enable Setup
3.5
4.7
ns
tWENH
Write Enable Hold
0.0
ns
tBENS
Block Enable Setup
3.6
4.8
ns
tBENH
Block Enable Hold
0.0
ns
Asynchronous SRAM Operations
tRPD
Asynchronous Access Time
10.6
14.1
ns
tRDADV
Read Address Valid
11.5
15.3
ns
tADSU
Address/Data Setup Time
2.1
2.8
ns
tADH
Address/Data Hold Time
0.0
ns
tRENSUA
Read Enable Setup to Address Valid
0.8
1.1
ns
tRENHA
Read Enable Hold
4.4
5.9
ns
tWENSU
Write Enable Setup
3.5
4.7
ns
tWENH
Write Enable Hold
0.0
ns
tDOH
Data Out Hold Time
1.6
2.1
ns
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參數(shù)描述 |
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