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AON7430

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
AON7430 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 13A DFN3X3
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AON7430 技術參數(shù)
  • AON7428 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3120pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標準包裝:1 AON7426 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2120pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x3) 標準包裝:5,000 AON7424 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3450pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x3) 標準包裝:5,000 AON7423 功能描述:MOSFET P-CH 20V 28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5626pF @ 10V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標準包裝:1 AON7422G 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):28W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:5,000 AON7450 AON7450L AON7452 AON7452L AON7458 AON7460 AON7462 AON7466 AON7474A AON7502 AON7506 AON7508 AON7510 AON7514 AON7516 AON7518 AON7520 AON7522E
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