AON7568

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
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說(shuō)明
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功能描述
MOSFET N-CH 30V 25A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
25A（Ta），32A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
2270pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Ta），28W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
4.6 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（3x3）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

AON7568 技術(shù)參數(shù)

AON7566 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:80nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3020pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7556 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:600pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7548_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），24A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1086pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），23W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7548 功能描述:MOSFET N-CH DFN 3X3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1086pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7544 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:951pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:23W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7760 AON7764 AON7784 AON7788 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934 AONR32314 AOP605 AOP607