AO6400

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AO6400 技術(shù)參數(shù)

AO6085N03 功能描述:MOSFET N-CH 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），50A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），31W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AO5804EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SC-89-6 標準包裝:3,000 AO5804E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SC-89-6 標準包裝:1 AO5803E 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SC-89-6 標準包裝:1 AO5800E 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 30V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SC-89-6 標準包裝:1 AO6409_102 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601 AO6601_001 AO6602L AO6604 AO6604L_001 AO6608 AO6701 AO6704