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AO6409_DELTA

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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 6TSOT
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 最後搶購
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AO6409_DELTA 技術(shù)參數(shù)
  • AO6409_102 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 10V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6409 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 10V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6408 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8.8A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 8.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6405 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):840pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6404 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8.6A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1810pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6601_001 AO6602L AO6604 AO6604L_001 AO6608 AO6701 AO6704 AO6800 AO6800L_003 AO6801A AO6801E AO6802 AO6802L_001 AO6804 AO6804A AO6804A_101 AO6808 AO6808_101
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