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APTMC120HM17CT3

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  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

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  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 273530

  • MICROCHIP

  • con

  • 24+

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 273530

  • MICROCHIP

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

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  • 瑞智芯 只有原裝

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  • 1
APTMC120HM17CT3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
APTMC120HM17CT3 技術(shù)參數(shù)
  • APTMC120AM55CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:105A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120AM20CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:143A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:131A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:220A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC
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