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APTGT35H120T3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGT35H120T3G
    APTGT35H120T3G

    APTGT35H120T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTGT35H120T3G
    APTGT35H120T3G

    APTGT35H120T3G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTGT35H120T3G
    APTGT35H120T3G

    APTGT35H120T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTGT35H120T3G
    APTGT35H120T3G

    APTGT35H120T3G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT MOD TRENCH FULL

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
APTGT35H120T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGT35H120T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT35H120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT35DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT35A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT30X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT400SK120D3G APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G APTGT400U120D4G APTGT400U170D4G APTGT450A60G APTGT450DA60G APTGT450DU60G APTGT450SK60G APTGT50A1202G APTGT50A120D1G APTGT50A120T1G APTGT50A120TG APTGT50A170D1G APTGT50A170T1G APTGT50A170TG APTGT50A60T1G
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