APTGT50A120TG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTGT50A120TG
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHAS
22+
-

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
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功能描述
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
無(wú)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

APTGT50A120TG 技術(shù)參數(shù)

APTGT50A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 270W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50A1202G 功能描述:MOD IGBT 1200V 75A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT450SK60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 550A 1750W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:550A 功率 - 最大值:1750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V，450A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:37nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT450DU60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 550A 1750W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:550A 功率 - 最大值:1750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V，450A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:37nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50DDA120T3G APTGT50DDA60T3G APTGT50DH120T3G APTGT50DH120TG APTGT50DH170TG APTGT50DH60T1G APTGT50DH60TG APTGT50DSK120T3G APTGT50DSK60T3G APTGT50DU120TG APTGT50DU170TG APTGT50H120T3G APTGT50H120TG APTGT50H170TG APTGT50H60RT3G APTGT50H60T1G APTGT50H60T3G APTGT50SK120D1G