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APT100DL60HJ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT100DL60HJ
    APT100DL60HJ

    APT100DL60HJ

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -
  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT100DL60HJ
    APT100DL60HJ

    APT100DL60HJ

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT100DL60HJ
    APT100DL60HJ

    APT100DL60HJ

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -
  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存F

  • APT100DL60HJ
    APT100DL60HJ

    APT100DL60HJ

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
APT100DL60HJ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module
APT100DL60HJ 技術(shù)參數(shù)
  • APT100DL60BG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):100A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 100A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10090BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10090BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10078SLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):780 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2525pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10078BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):780 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2525pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ
配單專家

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免責(zé)聲明:以上所展示的APT100DL60HJ信息由會(huì)員自行提供,APT100DL60HJ內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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