AOT20C60PL

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AOT20C60PL
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

AOT20C60PL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4945
ALPHA & O
管件
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條
1

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功能描述
MOSFET N-CH
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
20A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
260 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
80nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
3607pF @ 100V
功率 - 最大值
463W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000

AOT20C60PL 技術(shù)參數(shù)

AOT20C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOT20C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOT20B65M1 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.15V @ 15V，20A 功率 - 最大值:227W 開(kāi)關(guān)能量:470μJ（開(kāi)），270μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:46nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:26ns/122ns 測(cè)試條件:400V，20A，15 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:322ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 650mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:41.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:370 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2297pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT254L AOT25S65L AOT2606L AOT2608L AOT260L AOT2610L AOT2618L AOT262L AOT264L AOT266L AOT270AL AOT270L AOT27S60L AOT280L AOT282L AOT284L AOT286L AOT288L