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AOT20B65M1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • AOT20B65M1
    AOT20B65M1

    AOT20B65M1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • AOT20B65M1
    AOT20B65M1

    AOT20B65M1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

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  • 1
AOT20B65M1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 650V 20A TO220
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • Alpha IGBT??
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • IGBT 類型
  • -
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 650V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 40A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
  • 60A
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.15V @ 15V，20A
  • 功率 - 最大值
  • 227W
  • 開關(guān)能量
  • 470μJ（開），270μJ（關(guān)）
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷
  • 46nC
  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
  • 26ns/122ns
  • 測(cè)試條件
  • 400V，20A，15 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
  • 322ns
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
AOT20B65M1 技術(shù)參數(shù)
  • AOT1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 650mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:41.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:370 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2297pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT1608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），140A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT1606L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 178A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），178A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:102nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT15S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:841pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT240L AOT2500L AOT2502L AOT254L AOT25S65L AOT2606L AOT2608L AOT260L AOT2610L AOT2618L AOT262L AOT264L AOT266L AOT270AL AOT270L AOT27S60L AOT280L AOT282L
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