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AON2810
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺(tái)灣半導(dǎo)體
DFN2X2-6
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AON2810
深圳市百域芯科技有限公司
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聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
DFN22
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AON2810
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AOS
DFN2x2
最新批號(hào)
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一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

AON2810
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
14780
ALPHA & O
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

AON2810
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
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聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS
DFN2x2A_6L
NA
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原裝現(xiàn)貨

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制造商
AOSMD
制造商全稱
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
DFN 2X2 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

AON2810 技術(shù)參數(shù)

AON2809 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:415pF @ 6V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2803 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 3.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:560pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2802 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:245pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2801L#A 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON2801L 功能描述:MOSFET P-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407 AON4407_003 AON4407L AON4407L_002 AON4407L_003 AON4420 AON4421 AON4421_001 AON4605 AON4605_001 AON4605_002 AON4703 AON4705L