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AOD5N50M

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • AOD5N50M
    AOD5N50M

    AOD5N50M

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 26235

  • AOS

  • TO-252

  • 13+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
AOD5N50M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DPAK
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 最後搶購(gòu)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 5A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 14nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±30V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 670pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 104W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 1.6 歐姆 @ 2.5A，10V
  • 工作溫度
  • -50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-252，（D-Pak）
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
AOD5N50M 技術(shù)參數(shù)
  • AOD5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:670pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD5N40 功能描述:MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD5B65N1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:52W 開(kāi)關(guān)能量:81μJ (開(kāi)), 49μJ (關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.2nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:8ns/73ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:170ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:69W 開(kāi)關(guān)能量:80μJ（開(kāi)），70μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:8.5ns/106ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:54.4W 開(kāi)關(guān)能量:140μJ（開(kāi)），40μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/82ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA
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