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AOD5N40

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOD5N40
    AOD5N40

    AOD5N40

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • AOD5N40
    AOD5N40

    AOD5N40

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 400045

  • YXYBDT臺灣

  • TO-252

  • 2024+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • AOD5N40
    AOD5N40

    AOD5N40

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 38600

  • AOS

  • TO-252

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現貨庫存假一罰十,電話:0...

  • AOD5N40
    AOD5N40

    AOD5N40

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-252

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

AOD5N40 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSF N CH 400V 4.2A TO252 DPAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOD5N40 技術參數
  • AOD5B65N1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,5A 功率 - 最大值:52W 開關能量:81μJ (開), 49μJ (關) 輸入類型:標準 柵極電荷:9.2nC 25°C 時 Td(開/關)值:8ns/73ns 測試條件:400V,5A,60 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):170ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:2,500 AOD5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.98V @ 15V,5A 功率 - 最大值:69W 開關能量:80μJ(開),70μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:14nC 25°C 時 Td(開/關)值:8.5ns/106ns 測試條件:400V,5A,60 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):195ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.8V @ 15V, 5A 功率 - 最大值:54.4W 開關能量:140μJ(開),40μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:9.4nC 25°C 時 Td(開/關)值:12ns/82ns 測試條件:400V,5A,60 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):98ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:2,500 AOD538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Ta),70A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),24W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:2,500 AOD528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),50A(Tc) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.4 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936
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