- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360634 > 9639 (意法半導體) N-CHANNEL 150V - 0.045 OHM - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 9639 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 150V - 0.045 OHM - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道150伏- 0.045歐姆- 5A條的SO - 8低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | 9639 |
STS5N150
2/6
THERMAL DATA
(*)
When Mounted on 1 inch
2
FR-4 board, 2 oz of Cu and t
[
10 sec.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-amb
(*)
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
50
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
150
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
2
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
0.045
0.06
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 75 V
I
D
= 5 A
TBD
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
TBD
TBD
TBD
pF
pF
pF
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