參數(shù)資料
型號： 93LC86C-TE/SNG
元件分類： PROM
英文描述： 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/38頁
文件大小： 703K
代理商： 93LC86C-TE/SNG
93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A-page 12
2005 Microchip Technology Inc.
3.5
ERASE ALL (ERAL)
The Erase All (ERAL) instruction will erase the entire
memory array to the logical ‘1’ state. The ERAL cycle is
identical to the Erase cycle, except for the different
opcode. The ERAL cycle is completely self-timed and
commences at the falling edge of the CS, except on
‘93CXX’ devices where the rising edge of CLK before
the last data bit initiates the write cycle. Clocking of the
CLK pin is not necessary after the device has entered
the ERAL cycle.
The DO pin indicates the Ready/Busy status of the
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (TCSL).
VCC must be
≥ 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 3-3:
ERAL TIMING FOR 93AAXX AND 93LCXX DEVICES
FIGURE 3-4:
ERAL TIMING FOR 93CXX DEVICES
Note:
After the ERAL command is complete,
issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/Busy status from DO.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
10
0
1
0
X
X
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TEC
High-Z
Vcc must be
≥ 4.5V for proper operation of ERAL.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
10
0
1
0
X
X
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TEC
High-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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93LC86CT-I/SN 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1024x16-2048x8 2.5V IND TEMP, SOIC8 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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