- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄42393 > 93LC66BX-I/SNJ22 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 93LC66BX-I/SNJ22 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 30/30頁 |
| 文件大小： | 550K |
| 代理商： | 93LC66BX-I/SNJ22 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當(dāng)前第30頁
2008 Microchip Technology Inc.
DS21795D-page 9
93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
2.6
Erase/Write Disable and Enable
(EWDS/EWEN)
The 93XX66A/B/C powers up in the Erase/Write
Disable (EWDS) state. All Programming modes must be
preceded by an Erase/Write Enable (EWEN) instruction.
Once the EWEN instruction is executed, programming
remains enabled until an EWDS instruction is executed
or Vcc is removed from the device.
To protect against accidental data disturbance, the
EWDS
instruction can be used to disable all erase/write
functions and should follow all programming opera-
tions. Execution of a READ instruction is independent of
both the EWEN and EWDS instructions.
FIGURE 2-5:
EWDS TIMING
FIGURE 2-6:
EWEN TIMING
2.7
Read
The READ instruction outputs the serial data of the
addressed memory location on the DO pin. A dummy
zero bit precedes the 8-bit (If ORG pin is low or A-Version
devices) or 16-bit (If ORG pin is high or B-version
devices) output string. The output data bits will toggle on
the rising edge of the CLK and are stable after the
specified time delay (TPD). Sequential read is possible
when CS is held high. The memory data will
automatically cycle to the next register and output
sequentially.
FIGURE 2-7:
READ TIMING
CS
CLK
DI
10
00
0
x
x
TCSL
1x
CS
CLK
DI
00
1
x
TCSL
CS
CLK
DI
DO
11
0
An
A0
High-Z
0
Dx
D0
Dx
D0
Dx
D0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93LC66C-I/STG | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA66C-I/P | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 93C66BX-E/SNG | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C66BX-I/SNG | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C66A-I/MC | 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 93LC66BXT/SN | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 Rot Pin RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93LC66BXT-E/SN | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 Rot Pin RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93LC66BXT-E/SNG | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 Rot Pin Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93LC66BXT-I/SN | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 Rot Pin RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93LC66BXT-I/SNG | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 Rot Pin Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。