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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 934056750118 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SMD, SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/13頁(yè) |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | 934056750118 |
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Philips Semiconductors
Si4800
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 July 2001
4 of 13
9397 750 08412
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Thermal characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Value
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
mounted on a printed circuit board; tp ≤ 10 s;
minimum footprint; Figure 4
50
K/W
Tamb =25 °C
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration.
03af83
10-2
10-1
1
10
102
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
102
103
tp (s)
Zth(j-amb)
(K/W)
single pulse
δ = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
T
P
t
T
δ =
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