參數(shù)資料
型號(hào)： 934022740215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： 934022740215
1995 Apr 07
2
Philips Semiconductors
Product specication
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
FEATURES
High power gain
High efficiency
Small size discrete power amplifier
1.9 GHz operating area
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
Common emitter class-AB operation in hand-held radio
equipment at 1.9 GHz.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistors encapsulated in a
plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG11
N72
BFG11/X
N73
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG11 (see Fig.1)
1
collector
2
base
3
emitter
4
emitter
BFG11/X (see Fig.1)
1
collector
2
emitter
3
base
4
emitter
Fig.1 SOT143.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
12
3
4
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at Tamb =25 °C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
VCE
(V)
PL
(mW)
Gp
(dB)
ηc
(%)
Pulsed, class-AB, duty cycle < 1 : 8
1.9
3.6
400
≥4
≥50
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PDF描述
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參數(shù)描述
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