參數(shù)資料
型號: 934000180115
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 49K
代理商: 934000180115
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of November 1992
File under Discrete Semiconductors, SC14
1995 Sep 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG31
PNP 5 GHz wideband transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934000490135 225 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
934000490115 225 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
0579196802 1.25 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
934000510115 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
934000520115 10 ohm, Si, POWER, FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
9340002-301 功能描述:熱電模塊 MS2,107,10,10,12,12, 11,W2 22.6x22.6x6.25 RoHS:否 制造商:Laird Technologies / Thermal Solutions 類型:Ceramic Plate Q最大:24 W ΔT最大:+ 63 C 最大電流:2.8 A 最大電壓:14.4 V 長度:30 mm 寬度:30 mm 高度:3.2 mm
9340002-302 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MS2,107,10,10,12,12,11,RT,W8
9340002-304 制造商:LAIRD TECHNOLOGIES - ENGINEERED THERMAL SOLUTIONS 功能描述:PELTIR MS2,107,10,10,12,12,00,W8 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:PELTIR MS2,107,10,10,12,12,00,W8
9340003-301 功能描述:熱電模塊 MS2 190 10 10 12 12 11 W2 30x30x6.5mm RoHS:否 制造商:Laird Technologies / Thermal Solutions 類型:Ceramic Plate Q最大:24 W ΔT最大:+ 63 C 最大電流:2.8 A 最大電壓:14.4 V 長度:30 mm 寬度:30 mm 高度:3.2 mm
9340003-302 功能描述:MS2,190,10,10,12,12,11,RT,W8 制造商:laird technologies - engineered thermal solutions 系列:多級 零件狀態(tài):有效 外形尺寸 L x W x H:30.00mm x 30.00mm x 6.50mm 不同 Th 時(shí)的 Qmax:16.4W @ 25°C 不同 Th 時(shí)的 Delta Tmax:87°C @ 25°C 電流 - 最大值:2.9A 電壓 - 最大值:15.6V 電阻(歐姆):- 工作溫度:80°C 特性:密封 - 硅樹脂 RTV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1