參數(shù)資料
型號(hào)： 8P2SMA
廠商： NEC Corp.
英文描述： 8A MOLD ISOLATED SCR
中文描述： 8A條模具隔震可控硅
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商： 8P2SMA
Data Sheet D17164EJ3V0DS
2
8P2SMA,8P4SMA
MAXIMUM RATINGS
Parameter
Symbol
8P2SMA
8P4SMA
Unit
Remarks
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
V
RSM
300
500
V
Non-repetitive Peak Off-state Voltage
V
DSM
300
500
V
Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
200
400
V
Repetitive Peak Off-state Voltage
V
DRM
200
400
V
Average On-state Current
I
T(AV)
8 (T
C
= 88°C, single phase half wave,
θ
= 180°)
A
Refer to
Figure 11
Effective On-state Current
I
T(RMS)
12.6
A
and
12
.
Surge On-state Current
I
TSM
100 (f = 50 Hz, sine half wave, 1 cycle)
A
Refer to
Figure 2
.
110 (f = 60 Hz, sine half wave, 1 cycle)
Fusing Current
∫
i
T2
dt
45 (1 ms
≤
t
≤
10 ms)
A
2
s
Critical Rate Rise of On-state Current
dI
T
/dt
50
A/
μ
s
Peak Gate Power Dissipation
P
GM
5 (f
≥
50 Hz, Duty
≤
10%)
W
Refer to
Figure 3
.
Average Gate Power Dissipation
P
G(AV)
0.5
W
Peak Gate Forward Current
I
FGM
2 (f
≥
50 Hz, Duty
≤
10%)
A
Peak Gate Reverse Voltage
V
RGM
10
V
Junction Temperature
T
j
40
～
+125
°
C
Storage Temperature
T
stg
55
～
+150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
j
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP. MAX.
Unit
Remarks
Repetitive Peak Reverse Current
I
RRM
V
RM
= V
RRM
T
j
= 25°C
100
μ
A
T
j
= 125°C
2
mA
Repetitive Peak Off-state Current
I
DRM
V
DM
= V
DRM
T
j
= 25°C
100
μ
A
T
j
= 125°C
2
mA
On-state Voltage
V
TM
I
TM
= 25 A
1.4
V
Refer to
Figure 1
.
Gate Trigger Current
I
GT
V
DM
= 6 V, R
L
= 100
10
mA Refer to
Figure 4
.
Gate Trigger Voltage
V
GT
V
DM
= 6 V, R
L
= 100
1.5
V
Gate Non-trigger Voltage
V
GD
T
j
= 125°C, V
DM
=
2
1
V
DRM
0.2
V
Holding Current
I
H
V
DM
= 24 V, I
TM
= 25 A
6
mA
Critical Rate Rise of Off-state Voltage
dv/dt
T
j
= 125°C, V
DM
=
3
2
V
DRM
40
V
/μ
s
Circuit Commuted Turn-off Time
t
q
T
j
= 125°C, I
TM
= 8 A
di
R
/dt = 15 A/
μ
s, V
R
≥
25
V,
V
DM
=
3
2
V
DRM
,
dV
D
/dt = 10 V/
μ
s
100
μ
s
Thermal Resistance
Note
R
th(j-c)
Junction to case DC
3.7
°C/W Refer to
Figure 13
.
R
th(j-a)
Junction to ambient DC
60
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
8P4SMA 8A MOLD ISOLATED SCR
8P4J 8 A MOLD THYRISTOR
8P4J-Z 8 A MOLD THYRISTOR
8Q1024K8 high-performance 1M byte (8Mbit) CMOS static RAM
8Q1024K8SRAM high-performance 1M byte (8Mbit) CMOS static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
8P3011-Z 功能描述:SWITCH PUSHBUTTON 3PDT 6A 125V RoHS:是 類(lèi)別:開(kāi)關(guān) >> 按鈕 系列:8P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:A16 類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)光式 電路:雙刀雙擲 開(kāi)關(guān)功能:開(kāi)-瞬時(shí) 額定電流:5A（AC） 額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:- 觸動(dòng)器類(lèi)型:方形，按鈕 顏色 - 致動(dòng)器/蓋:黃 發(fā)光類(lèi)型，顏色:LED，黃 發(fā)光電壓:12 VDC 安裝類(lèi)型:前面板安裝 端接類(lèi)型:焊接，快速連接 - 0.110"（2.8mm） 防護(hù)等級(jí):IP65 - 防塵/防油/防水 特點(diǎn):- 面板切口尺寸:圓形 - 直徑 16.00mm 包裝:散裝 工作溫度:-10°C ~ 55°C 機(jī)械壽命:2,000,000 次循環(huán) 電氣壽命:100,000 次循環(huán) 其它名稱:A165LAYM12D2
8P3021-Z 功能描述:SWITCH PUSHBUTTON 3PDT 6A 125V RoHS:是 類(lèi)別:開(kāi)關(guān) >> 按鈕 系列:8P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:A16 類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)光式 電路:雙刀雙擲 開(kāi)關(guān)功能:開(kāi)-瞬時(shí) 額定電流:5A（AC） 額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:- 觸動(dòng)器類(lèi)型:方形，按鈕 顏色 - 致動(dòng)器/蓋:黃 發(fā)光類(lèi)型，顏色:LED，黃 發(fā)光電壓:12 VDC 安裝類(lèi)型:前面板安裝 端接類(lèi)型:焊接，快速連接 - 0.110"（2.8mm） 防護(hù)等級(jí):IP65 - 防塵/防油/防水 特點(diǎn):- 面板切口尺寸:圓形 - 直徑 16.00mm 包裝:散裝 工作溫度:-10°C ~ 55°C 機(jī)械壽命:2,000,000 次循環(huán) 電氣壽命:100,000 次循環(huán) 其它名稱:A165LAYM12D2
8P34S1102NLGI 功能描述:Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1.2GHz 16-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:扇出緩沖器（分配） 電路數(shù):1 比率 - 輸入:輸出:1:2 差分 - 輸入:輸出:是/是 輸入:CML，LVDS 輸出:LVDS 頻率 - 最大值:1.2GHz 電壓 - 電源:1.71 V ~ 1.89 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:16-VFQFPN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
8P34S1106NLGI 功能描述:Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1.2GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:扇出緩沖器（分配） 電路數(shù):1 比率 - 輸入:輸出:1：6 差分 - 輸入:輸出:是/是 輸入:CML，LVDS 輸出:LVDS 頻率 - 最大值:1.2GHz 電壓 - 電源:1.71 V ~ 1.89 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:20-VFQFPN（4x4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
8P34S1204NLGI 功能描述:Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 1.2GHz 16-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:扇出緩沖器（分配），多路復(fù)用器 電路數(shù):1 比率 - 輸入:輸出:2：4 差分 - 輸入:輸出:是/是 輸入:CML，LVDS 輸出:LVDS 頻率 - 最大值:1.2GHz 電壓 - 電源:1.71 V ~ 1.89 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:16-VFQFPN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
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