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參數(shù)資料
| 型號： | 82453NX |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | Intel 450NX PCIset |
| 中文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA324 |
| 封裝： | BGA-324 |
| 文件頁數(shù)： | 93/248頁 |
| 文件大?。?/td> | 2154K |
| 代理商： | 82453NX |
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Intel 450NX PCIset
6-1
6
Memory Subsystem
6.1
Overview
The Intel 450NX
PCIset’s memory subsystem consists of one or two memory cards. Each
card is comprised of one RCG component, a DRAM array, and two MUX components. Table
6-1 summarizes the Intel 450NX PCIset’s general memory characteristics.
6.1.1
Physical Organization
The Intel
450NX PCIset supports up to 8 banks of memory, configured across one or two
memory cards. Each bank can support up to 1 GB using 64 Mbit double-high DIMMs to
provide a total of 8 GB of memory in 8 banks. Each bank can support one or two rows of 2 or 4
interleaves. Each row represents a set of memory devices simultaneously selected by a
RAS#
signal. Each interleave generates 72 bits (64 data, 8 ECC) of data per row using one DIMM.
Four interleaves provide a total of 256 bits of data (32 bytes) which is one cache line for the
Pentium
II Xeon processor. Data from multiple interleaves are combined by the MUXs to
exchange 72 bits of data with the MIOC at an effective rate of one cache line every 30ns
(effective rate: 1.067 GB/s) for a 4-way interleaved memory. Figure 6-1 illustrates this
configuration.
The RCG and MUX Components
The RCGs generate the signals to control accesses to the main memory DRAMs. The RCG
initiates no activity until it receives a command from the MIOC. The maximum number of
RCGs per Intel 450NX PCIset system is two. Each RCG controls up to four banks of DRAM.
Each bank of memory may consist of one (for single-sided DIMMs) or two (for double-sided
or double-high DIMMs) rows. Internally, each RCG component contains four RAS/CAS
control units (RCCUs), each dedicated to one bank of DRAM. This is illustrated in Figure 6-2.
Each MUX component has four 36-bit data I/O connections to DRAM (one 18-bit path for
each of four possible interleaved quad-words) and one 36-bit data I/O connection to the MD
Table 6-1: General Memory Characteristics
DRAM type
Memory modules
DRAM technologies
Extended Data Out (EDO)
72-bit, single and double high DIMMs
16 Mbit and 64 Mbit
50 and 60 nsec
3.3 V
4:1, 2:1 (in bank 0, of card 0)
2:1 interleave: 32 MB
4:1 interleave: 64 MB to 8 GB, in 64 MB increments
Interleaves
Memory size
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 82454NX | Intel 450NX PCIset |
| 824 | 2 X 2 4-Pole Filters |
| 82503 | DUAL SERIAL TRANSCEIVER (DST) |
| 82541ER | 82541ER Gigabit Ethernet Controller |
| 82546EB | Dual Port Gigabit Ethernet Controller |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 824540101 | 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TVSP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:10V（最大） 電壓 - 擊穿（最小值）:11.7V（標(biāo)準(zhǔn)） 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:88.3A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 824540102 | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TVSP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:100V（最大） 電壓 - 擊穿（最小值）:117V（標(biāo)準(zhǔn)） 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:162V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:9.3A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 824540111 | 功能描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TVSP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:11V（最大） 電壓 - 擊穿（最小值）:12.85V（標(biāo)準(zhǔn)） 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:82.5A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 824540121 | 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TVSP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:12V（最大） 電壓 - 擊穿（最小值）:14V（標(biāo)準(zhǔn)） 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:75.4A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 824540131 | 功能描述:TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AB 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TVSP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:13V（最大） 電壓 - 擊穿（最小值）:15.15V（標(biāo)準(zhǔn)） 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:69.8A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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