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參數(shù)資料
| 型號： | 7MBR25NE120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT (1200V/25A/PIM) |
| 中文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-21 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | 7MBR25NE120 |
IGBT Module
7MBR25SC120
Characteristics (Representative)
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25°C (typ.)
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125°C (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
Tj= 25°C
Tj= 125°C
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Ic= 12.5A
Ic= 25A
Ic= 50A
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25°C (typ.)
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
0
5
10
15
20
25
30
35
100
1000
10000
[ Inverter ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Coes
Cres
Cies
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600
800
1000
[ Inverter ]
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=25A, Tj= 25°C
Gate charge : Qg [ nC ]
C
0
5
10
15
20
25
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7MBR25PE120 | IGBT Module(Power Integrated Module) |
| 7MBR25SA120 | IGBT(1200V/25A/PIM) |
| 7MBR25SA140 | Power Integrated Module |
| 7MBR50SC060 | PIM/Built-in converter with thyristor and brake (S series)600V / 50A / PIM |
| 7MBR50SD120 | PIM/Built-in converter with thyristor and brake (S series) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 7MBR25NE-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:7 PIM IGBT |
| 7MBR25NF120 | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| 7MBR25NF-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:7 PIM IGBT |
| 7MBR25PE120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module(Power Integrated Module) |
| 7MBR25SA120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT(1200V/25A/PIM) |
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