參數(shù)資料
型號： 74LVT10
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： 3.3V Triple 3-input NAND gate
中文描述： 3.3三3輸入與非門
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： 74LVT10
Philips Semiconductors
Product specification
74LVT10
3.3V Triple 3-input NAND gate
1996 May 10
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Over recommended operating conditions
Voltages are referenced to GND (ground = 0V)
LIMITS
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
Temp = -40
°
C to +85
°
C
TYP
1
UNIT
MIN
MAX
V
IK
Input clamp voltage
V
CC
= 2.7V; I
IK
= –18mA
V
CC
= 2.7 to 3.6V; I
OH
= –100
μ
A
V
CC
= 2.7V; I
OH
= –6mA
V
CC
= 3.0V; I
OH
= –20mA
V
CC
= 2.7V; I
OL
= 100
μ
A
V
CC
= 2.7V; I
OL
= 24mA
V
CC
= 3.0V; I
OL
= 32mA
V
CC
= 0 or 3.6V; V
I
= 5.5V
V
CC
= 3.6V; V
I
= V
CC
or GND
V
CC
= 0V; V
I
or V
O
= 0 to 4.5V
V
CC
= 3.6V; Outputs High, V
I
= GND or
V
CC,
I
O =
0
V
CC
= 3.6V; Outputs Low, V
I
= GND or V
CC,
I
O =
0
V
CC
= 3V to 3.6V; One input at V
CC
–0.6V,
Other inputs at V
CC
or GND
V
I
= 3V or 0
–1.2
V
V
CC
–0.2
2.4
V
CC
2.5
V
OH
High-level output voltage
V
2.0
2.3
0.05
0.2
V
OL
Low-level output voltage
0.3
0.5
V
0.35
0.5
I
I
Input leakage current
0.1
10
μ
A
0.01
±
1
I
OFF
Output off current
1
±
100
μ
A
I
CCH
Quiescent supply current
0.001
0.02
mA
I
CCL
1
2
I
CC
Additional supply current per input pin
2
0.1
0.2
mA
C
I
Input capacitance
2
pF
NOTES:
1. All typical values are at V
CC
= 3.3V and T
amb
= 25
°
C.
2. This is the increase in supply current for each input at the specificed voltage level other than V
CC
or GND.
AC CHARACTERISTICS
GND = 0V; t
R
= t
F
= 2.5ns; C
L
= 50pF, R
L
= 500
; T
amb
= –40
°
C to +85
°
C.
LIMITS
SYMBOL
PARAMETER
WAVEFORM
V
CC
= 3.3V
±
0.3V
TYP
1
V
CC
= 2.7V
UNIT
MIN
MAX
MAX
t
PLH
t
PHL
Propagation delay
An, Bn, Cn to Yn
1
1.0
1.0
3.8
3.3
5.2
4.4
6.2
4.4
ns
NOTE:
1. All typical values are at V
CC
= 3.3V and T
amb
= 25
°
C.
AC WAVEFORMS
V
M
= 1.5V, V
IN
= GND to 2.7V
V
M
V
M
V
M
V
M
Qn
Dna, Dnb, Dnc
t
PHL
t
PLH
SF00064
Waveform 1.
Propagation Delay for Inverting Outputs
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PDF描述
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74LVT126 3.3V Quad buffer 3-State
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