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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 73S1210F-68IMR/F |
| 廠商： | Maxim Integrated Products |
| 文件頁數(shù)： | 24/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SMART CARD READER 68-QFN |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 系列： | 73S12xx |
| 核心處理器： | 80515 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 24MHz |
| 連通性： | I²C，智能卡，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | LED，POR，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 8 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 6.5 V |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 68-VFQFN 裸露焊盤 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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73S1210F Data Sheet
DS_1210F_001
12
Rev. 1.4
specific SFR registers in the proper sequence. These special pattern/sequence requirements prevent
inadvertent erasure of the flash memory.
The mass erase sequence is:
1.
Write 1 to the FLSH_MEEN bit in the FLSHCTL register (SFR address 0xB2[1]).
2.
Write pattern 0xAA to ERASE (SFR address 0x94).
Note: The mass erase cycle can only be initiated when the ICE port is enabled.
The page erase sequence is:
1.
Write the page address to PGADDR (SFR address 0xB7[7:1]).
2.
Write pattern 0x55 to ERASE (SFR address 0x94).
The PGADDR register denotes the page address for page erase. The page size is 512 (200h) bytes and
there are 128 pages within the flash memory. The PGADDR denotes the upper seven bits of the flash
memory address such that bit 7:1 of the PGADDR corresponds to bit 15:9 of the flash memory address.
Bit 0 of the PGADDR is not used and is ignored. The MPU may write to the flash memory. This is one of
the non-volatile storage options available to the user. The FLSHCTL SFR bit FLSH_PWE (flash program
write enable) differentiates 80515 data store instructions (MOVX@DPTR,A) between Flash and XRAM
writes. Before setting FLSH_PWE, all interrupts need to be disabled by setting EAL = 1. Table 3 shows
the location and description of the 73S1210 flash-specific SFRs.
Any flash modifications must set the CPUCLK to operate at 3.6923 MHz (MPUCLKCtl = 0x0C)
before any flash memory operations are executed to insure the proper timing when modifying the
flash memory.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-26K-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 40V 150W |
| 73S1210F-44IM/F | IC SMART CARD READER 44-QFN |
| ISD17150EYI | IC VOICE REC/PLAY 150SEC 28-TSOP |
| VE-26J-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W |
| ISD17210EY | IC VOICE REC/PLAY 210SEC 28-TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 73S1210F-68M/F/PB | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:- Trays |
| 73S1210F-68M/F/PG | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| 73S1210F-68M/F/PH | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| 73S1210F-68M/F/PJ | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:SCR+PPAD/SRL INTFC/PWR MGT-3.11CODE - Rail/Tube |
| 73S1210F-68MR/F/PG | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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