參數(shù)資料
型號： 72V845L15PFI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： FIFO
英文描述： 4K X 18 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128
封裝： TQFP-128
文件頁數(shù)： 10/26頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： 72V845L15PFI8
18
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS DUAL SyncFIFO 256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 4,096 x 18
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
Figure
20.
Write
Timing
with
Synchronous
Programmable
Flags
(FWFT
Mode)
W
1
W
2
W
4
W
[n
+2]
W
[D-m-1]
W
[D-m-2]
W
[D-1]
W
D
W
[n+3]
W
[n+4]
W
[D-m]
W
[D-m+1]
WCLK
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tDH
tDS
tENS
tSKEW1
REN
Q
0
-Q
17
PAF
HF
PAE
IR
tDS
tSKEW2
tA
tREF
OR
tPAES
tHF
tWFF
W
[D-m+2]
W
1
tENH
4295
drw
20
DATA
IN
OUTPUT
REGISTER
(2)
W
3
1
2
3
1
D-1
2
+1
]
[
W
D-1
+2
]
[
W
2
D-1
+3
]
[
W
2
tPAFS
NOTES:
1.
tSKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
for
OR
to
go
LOW
after
two
RCLK
cycles
plus
t
REF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WLCK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
tSKEW1
,then
the
OR
deassertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
for
PAE
to
go
HIGH
during
the
current
clock
cycle.
If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
tha
n
tSKEW2
,then
the
PAE
deassertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH,
OE
=
LOW
4
.
n
=
PAE
offset,
m
=
PAF
offset,
D
=
maximum
FIFO
depth
=
257
words
for
the
IDT72V805,
513
words
for
the
IDT72V815,
1,025
words
for
the
IDT72V825,
2,04
9
words
for
the
IDT72V835
and
4,097
words
for
the
IDT72V845.
5
.
Select
this
mode
by
setting
(
FL
,
RXI
,
WXI
)=
(1,0,1)
during
Reset.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
72V805L15PFI9 256 X 18 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128
72V805L15PF8 256 X 18 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128
7305-0-15-15-47-14-04-0 BRASS, GOLD FINISH, PCB TERMINAL
7305-0-15-15-47-01-04-0 BRASS, GOLD FINISH, PCB TERMINAL
7305-0-15-01-47-27-04-0 BRASS, TIN FINISH, PCB TERMINAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
72V845L20PF 功能描述:先進先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
72V845L20PF8 功能描述:先進先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
72V84L15PA 功能描述:先進先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
72V84L15PA8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Bi-Dir 4K x 9 x 2 56-Pin TSSOP T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH BI-DIR 4KX9X2 56TSSOP - Tape and Reel
72V84L15PAG 功能描述:先進先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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