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參數(shù)資料
| 型號： | 72V3626L10PF8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | FIFO |
| 英文描述： | 256 X 36 BI-DIRECTIONAL FIFO, 6.5 ns, PQFP128 |
| 封裝： | TQFP-128 |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 374K |
| 代理商： | 72V3626L10PF8 |
WESTCODE
Positive development in power electronics
R0577YS10x to R0577YS12x
Data Sheet. Types R0577YS10x to R0577YS12x Issue 1
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June, 2001
10.0 On-State Energy per Pulse Characteristics
These curves enable rapid estimation of device dissipation to be obtained for conditions not covered by
the frequency ratings.
Let Ep be the Energy per pulse for a given current and pulse width, in joules
Let Rth(J-Hs) be the steady-state d.c. thermal resistance (junction to sink)
and TSINK be the heat sink temperature.
Then the average dissipation will be:
()
(
)
Hs
J
th
AV
SINK
P
AV
R
W
T
and
f
E
W
=
=
125
.)
(max
11.0 Reverse recovery ratings
(i) Qra is based on 50% Irm chord as shown in Fig. 1 below.
Fig. 1
(ii) Qrr is based on a 150s integration time.
i.e.
∫
=
s
rr
dt
i
Q
150
0
.
(iii)
2
1
t
Factor
K
=
12.0 Reverse Recovery Loss
12.1 Determination by Measurement
From waveforms of recovery current obtained from a high frequency shunt (see Note 1, Page 5) and
reverse voltage present during recovery, an instantaneous reverse recovery loss waveform must be
constructed. Let the area under this waveform be E joules per pulse. A new heat sink temperature can
then be evaluated from:
()
(
)
Hs
J
th
original
SINK
new
SINK
R
f
k
E
T
+
=
)
(
)
(
where k = 0.227 (°C/W)/s
E = Area under reverse loss waveform per pulse in joules (W.s.)
f = rated frequency Hz at the original heat sink temperature.
Rth(J-Hs) = d.c. thermal resistance (°C/W).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT72V51253L7.5BB | 128K X 18 OTHER FIFO, 4 ns, PBGA256 |
| IDT742244CTL | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742244CTLB | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742244CTP | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742244CTPB | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 72V3631L15PF | 功能描述:IC SYNCFIFO 512X36 15NS 120-TQFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:72V 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 存儲容量:18K（512 x 36） 功能:同步 數(shù)據(jù)速率:66.7MHz 訪問時間:10ns 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 電流 - 電源（最大值）:400μA 總線方向:雙向 擴充類型:深度，寬度 可編程標(biāo)志支持:是 中繼能力:是 FWFT 支持:是 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:120-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:120-TQFP（14x14） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 |
| 72V3631L15PF8 | 功能描述:IC SYNCFIFO 512X36 15NS 120-TQFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:72V 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 存儲容量:18K（512 x 36） 功能:同步 數(shù)據(jù)速率:66.7MHz 訪問時間:10ns 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 電流 - 電源（最大值）:400μA 總線方向:雙向 擴充類型:深度，寬度 可編程標(biāo)志支持:是 中繼能力:是 FWFT 支持:是 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:120-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:120-TQFP（14x14） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 |
| 72V3631L15PFG | 功能描述:IC FIFO SYNC 512X36 15NS 120TQFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:72V 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 存儲容量:18K（512 x 36） 功能:同步 數(shù)據(jù)速率:66.7MHz 訪問時間:10ns 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 電流 - 電源（最大值）:400μA 總線方向:雙向 擴充類型:深度，寬度 可編程標(biāo)志支持:是 中繼能力:是 FWFT 支持:是 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:120-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:120-TQFP（14x14） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 |
| 72V3631L15PFG8 | 功能描述:IC FIFO SYNC 512X36 15NS 120TQFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:72V 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 存儲容量:18K（512 x 36） 功能:同步 數(shù)據(jù)速率:66.7MHz 訪問時間:10ns 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 電流 - 電源（最大值）:400μA 總線方向:雙向 擴充類型:深度，寬度 可編程標(biāo)志支持:是 中繼能力:是 FWFT 支持:是 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:120-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:120-TQFP（14x14） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 |
| 72V3631L15PQF | 功能描述:IC SYNCFIFO 512X36 15NS 132QFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:72V 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 存儲容量:18K（512 x 36） 功能:同步 數(shù)據(jù)速率:66.7MHz 訪問時間:10ns 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 電流 - 電源（最大值）:400μA 總線方向:雙向 擴充類型:深度，寬度 可編程標(biāo)志支持:是 中繼能力:是 FWFT 支持:是 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:132-BQFP 緩沖式 供應(yīng)商器件封裝:132-PQFP（24.13x24.13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:36 |
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