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參數(shù)資料
| 型號： | 6N136 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Photocoupler(GaAlAs IRED and One Chip Photo Diode-transistor)(光耦(包括GaAlAs 紅外發(fā)光二極管和單片集成的光二極管和晶體管)) |
| 中文描述： | 光耦合器（發(fā)動器登記合格決定和單芯片光電二極管，晶體管）（光耦（包括發(fā)動器紅外發(fā)光二極管和單片集成的光二極管和晶體管）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 333K |
| 代理商： | 6N136 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 6N136#060 | 功能描述:高速光耦合器 1 Mb/s 3750Vrms RoHS:否 制造商:Avago Technologies 電流傳遞比: 最大波特率: 最大正向二極管電壓:1.75 V 最大反向二極管電壓:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作溫度:+125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SOIC-5 封裝:Tube |
| 6N136#300 | 功能描述:高速光耦合器 1 Mb/s 3750Vrms RoHS:否 制造商:Avago Technologies 電流傳遞比: 最大波特率: 最大正向二極管電壓:1.75 V 最大反向二極管電壓:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作溫度:+125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SOIC-5 封裝:Tube |
| 6N136#320 | 功能描述:高速光耦合器 1 Mb/s 5000Vrms RoHS:否 制造商:Avago Technologies 電流傳遞比: 最大波特率: 最大正向二極管電壓:1.75 V 最大反向二極管電壓:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作溫度:+125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SOIC-5 封裝:Tube |
| 6N136#500 | 功能描述:高速光耦合器 1 Mb/s 3750Vrms RoHS:否 制造商:Avago Technologies 電流傳遞比: 最大波特率: 最大正向二極管電壓:1.75 V 最大反向二極管電壓:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作溫度:+125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SOIC-5 封裝:Tube |
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