參數(shù)資料
型號: 6MBI75S-060
廠商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT Module
中文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-39
文件頁數(shù): 10/13頁
文件大小: 529K
代理商: 6MBI75S-060
H04-004-03
13
MS5F5326
0
50
100
150
10
100
1000
ton
tr
toff
tf
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=33Ω, Tj= 25℃
S
Collector current : Ic [ A ]
0
50
100
150
10
100
1000
tf
tr
ton
toff
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg= 33Ω, Tj= 125℃
C ollector current : Ic [ A ]
S
10
100
300
10
100
1000
5000
toff
tr
ton
tf
[ Inverter ]
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=300V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 25℃
Gate resi stance : R g [ Ω ]
S
0
50
100
150
0
2
4
6
8
rr(25℃)
off(25℃)
on(25℃)
rr(125℃)
off(125℃)
on(125℃)
[ Inverter ]
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=33Ω
S
C ollector current : Ic [ A ]
10
100
300
0
5
10
15
[ Inverter ]
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=300V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 125℃
S
Gate resi stance : R g [ Ω ]
Eon
Err
Eoff
0
200
400
600
800
0
50
100
150
200
[ Inverter ]
Reverse bias safe operating area
+VGE=15V, -VGE≦15V, Rg≧33Ω, Tj≦125℃
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
10
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PDF描述
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