參數(shù)資料
型號(hào)： 6MBI75F-060
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT(600V 75A)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： M616, 19 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： 6MBI75F-060
H04-004-03
13
MS5F 5497
9
Vcc=600V
，
Ic=75A
，
Tj= 25
℃
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25
℃
Dynamic Gate charge (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25
℃
/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125
℃
/ chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
0
50
100
150
200
0
1
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
2
3
4
5
C
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125
℃
Tj=25
℃
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=150A
Ic=75A
Ic= 37.5A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI75L-060 IGBT(600V/75A)
6MBI75S-120 IGBT(1200V/75A)
6MBI75S-140 IGBT Module
6MBP100RA120 IGBT(1200V/100A)
6MBP100RA060 IGBT-IPM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
6MBI75FA060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
6MBI75FA-060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
6MBI75J060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
6MBI75L060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
6MBI75L-060 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT(600V/75A)
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