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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI50U4A-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 475K |
| 代理商： | 6MBI50U4A-120 |
H04-004-03a
MS5F6015
13
a
10
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=50A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 22
Ω
,
Tj <= 125
o
C
Tj=25
o
C
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=22
Ω
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, Ic=50A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=22
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=22
Ω
, Tj=125
o
C
10
100
1000
10000
0
25
Collector current : Ic [ A ]
50
75
100
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
25
50
75
100
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
ton
S
tr
tf
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
Collector current : Ic [ A ]
Eoff(125
o
C)
Eon(25
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Err(125
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
25
50
75
100
125
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI75S-060 | IGBT Module |
| 6MBI75S-120-01 | IGBT Module |
| 6MBI75U2A-060 | IGBT module |
| 6MBI75U4A-120 | IGBT MODULE |
| 6MBI8F-120 | IGBT(1200V 8A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI50U4A-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:6-PACK IGBT MODULE 50A 1200V |
| 6MBI50UA-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1200V / 50A 6 in one-package |
| 6MBI50VA-060-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (V series) 600V / 50A / 6 in one package |
| 6MBI50VA-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT 6 PK V SER 50A 1200V M636 |
| 6MBI50VW-060-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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