參數(shù)資料
型號： 6MBI450U4-170
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 600 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-29
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 519K
代理商： 6MBI450U4-170
H04-004-03a
MS5F6097
14
a
10
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=900V
，
Ic=450A
，
Tj= 25°C
Tj= 25°C / chip
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V15V
12V
10V
8V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
C
Ic=900A
Ic=450A
Ic=225A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Cies
Coes
Cres
0
500
1000
1500
Gate charge : Qg [nC]
C
G
VGE
VCE
相關PDF資料
PDF描述
6MBI50U4A-120 IGBT MODULE
6MBI75S-060 IGBT Module
6MBI75S-120-01 IGBT Module
6MBI75U2A-060 IGBT module
6MBI75U4A-120 IGBT MODULE
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參數(shù)描述
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