參數(shù)資料
型號: 6CWQ09F
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 整流器
英文描述: 6.6 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商: 6CWQ09F
6CWQ09F, 6CWQ10F
PD-2.315 rev. A 12/97
2
www.irf.com
Part number
6CWQ09F
6CWQ10F
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM
Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
90
100
Voltage Ratings
Absolute Maximum Ratings
Parameters
6CWQ..F Units
Conditions
A
I
F(AV)
Max.AverageForwardCurrent
6.6
A
50% duty cycle @ T
C
= 94 °C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
210
5s Sine or 3s Rect. pulse
SurgeCurrent (Per Leg) *SeeFig.7
42
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.85
V
@ 3A
(Per Leg) * See Fig. 1
(1)
0.97
V
@ 6A
0.70
V
@ 3A
0.79
V
@ 6A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
1
mA
T
J
= 25 °C
(Per Leg) * See Fig. 2
(1)
3
mA
T
J
= 125 °C
C
T
Typical Junction Capacitance (Per Leg)
100
pF
V
R
= 5V
DC
, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
L
S
Typical Series Inductance (Per Leg)
5.0
nH
Measured lead to lead 5mmfrom package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10,000
V/ s
(Rated V
R
)
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= rated V
R
Parameters
6CWQ..F Units
Conditions
Electrical Specifications
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-40to125
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-40to125
°C
R
thJC
Max.ThermalResistanceJunction
5.0
°C/W
DCoperation
* See Fig. 4
toCase
R
thJA
Max.ThermalResistanceJunction
80
°C/W
DCoperation
toAmbient
PCBoardmounted,printland=20x20mm
wt
ApproximateWeight
0.3(0.01) g(oz.)
Case Style
D - PAK
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Parameters
6CWQ..F Units
Conditions
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