型號(hào): | 6A595 |
廠商: | Allegro MicroSystems, Inc. |
英文描述: | 8-BIT SERIAL-INPUT, DMOS POWER DRIVER |
中文描述: | 8位串行輸入,DMOS功率驅(qū)動(dòng) |
文件頁(yè)數(shù): | 1/10頁(yè) |
文件大小: | 176K |
代理商: | 6A595 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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6AM11 | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
6AM12 | Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
6AM13 | Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array |
6AM14 | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array |
6AM15 | Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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6A6 | 功能描述:RECTIFIER 6A 600V R-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
6A60 | 功能描述:整流器 6A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
6A60 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
6A60G | 功能描述:整流器 6.0 Amp 600 Volt 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
6A60G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應(yīng)商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:700 |