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參數(shù)資料
| 型號： | 6A05-B |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, R-6, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 24K |
| 代理商： | 6A05-B |
SILICON RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 6.0 Amperes
RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
FEATURES
* Low cost
* Low leakage
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High surge current capability
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
* Mounting position: Any
* Weight: 2.08 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
6A05
THRU
6A10
R-6
MAXIMUM RATINGS (At TA = 25
oC unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA = 25
oC unless otherwise noted)
NOTES : Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts
Dimensions in inches and (millimeters)
2002-11
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at TA = 60
oC
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note)
Typical Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
VDC
IFSM
CJ
TJ, TSTG
VRMS
6A05
6A1
6A2
6A4
6A6
6A8
6A10
UNITS
50
100
400
800
1000
Volts
Amps
35
50
420
600
70
100
280
400
600
560
800
700
1000
6.0
400
150
10
Amps
pF
0 C
200
140
200
Operating and Storage Temperature Range
R
θ JA
IO
-55 to + 150
0 C/ W
at Rated DC Blocking Voltage
CHARACTERISTICS
Maximum Full Load Reverse Current Average Full Cycle
.375” (9.5mm) lead length at TL = 75
oC
VF
SYMBOL
IR
6A05
6A1
6A2
6A4
6A6
6A8
6A10
UNITS
1.1
uAmps
Maximum DC Reverse Current
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 6.0A DC
Volts
@TA = 25
oC
@TA = 100
oC
10
100
50
.360 (9.1)
.340 (8.6)
DIA.
.052 (1.3)
.048 (1.2)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
.340 (8.6)
.360 (9.1)
1.0 (25.4)
MIN.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A2-B | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A6-B | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A4-B | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A1-T | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A8-T | 6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6A05-BP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:6A05 Series 6 A 50 V Through Hole Rectifier - R-6 |
| 6A05G | 功能描述:整流器 6.0 Amp 50 Volt 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 6A05-G | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Rectif |
| 6A05G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |
| 6A05G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 |
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