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參數(shù)資料
| 型號： | 63CTQ100GPBF |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | 63CTQ100GPBF |
63CTQ100G
Preliminary Data Sheet PD-20810 09/04
3
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage - V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(pF)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance ZthJC Characteristics
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
Tj = 175C
Tj = 125C
Tj = 25C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
204060
80
100
125C
100C
75C
50C
25C
Tj = 175C
150C
100
1000
0
2040
6080
100
Tj = 25C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CTQ100G | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 63CTQ100GPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
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| 63CTQ100PBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CV22FS | 制造商:SUN Electronic Industries Corporation 功能描述:Cap Aluminum 22uF 63V 20% (6.3 X 7.7mm) SMD 49mA 1000h 105 C |
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