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參數(shù)資料
| 型號： | 63CTQ100GPBF |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | 63CTQ100GPBF |
Document Number: 95222
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Revision: 08-Mar-11
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
TO-220AB
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS in millimeters and inches
Notes
(1) Dimensioning and tolerancing as per ASME Y14.5M-1994
(2) Lead dimension and finish uncontrolled in L1
(3) Dimension D, D1 and E do not include mold flash. Mold flash
shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions
are measured at the outermost extremes of the plastic body
(4) Dimension b1, b3 and c1 apply to base metal only
(5) Controlling dimensions: inches
(6) Thermal pad contour optional within dimensions E, H1, D2 and
E1
(7) Dimensions E2 x H1 define a zone where stamping and
singulation irregularities are allowed
(8) Outline conforms to JEDEC TO-220, except A2 (maximum) and
D2 (minimum) where dimensions are derived from the actual
package outline
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
4.25
4.65
0.167
0.183
E
10.11
10.51
0.398
0.414
3, 6
A1
1.14
1.40
0.045
0.055
E1
6.86
8.89
0.270
0.350
6
A2
2.56
2.92
0.101
0.115
E2
-
0.76
-
0.030
7
b
0.69
1.01
0.027
0.040
e
2.41
2.67
0.095
0.105
b1
0.38
0.97
0.015
0.038
4
e1
4.88
5.28
0.192
0.208
b2
1.20
1.73
0.047
0.068
H1
6.09
6.48
0.240
0.255
6, 7
b3
1.14
1.73
0.045
0.068
4
L
13.52
14.02
0.532
0.552
c
0.36
0.61
0.014
0.024
L1
3.32
3.82
0.131
0.150
2
c1
0.36
0.56
0.014
0.022
4
P
3.54
3.73
0.139
0.147
D
14.85
15.25
0.585
0.600
3
Q
2.60
3.00
0.102
0.118
D1
8.38
9.02
0.330
0.355
90° to 93°
D2
11.68
12.88
0.460
0.507
6
13
2
D
D1
H1
Q
13
2
C
D
3 x b2
3 x b
(b, b2)
b1, b3
(H1)
D2
Detail B
C
A
B
L
e1
Lead tip
E
E2
P
0.014
A
B
M
0.015
A
B
MM
Seating
plane
c
A2
A1
A
Lead assignments
Diodes
1. - Anode/open
2. - Cathode
3. - Anode
Conforms to JEDEC outline TO-220AB
(6)
(7)
(6)
(7)
e
2 x
L1 (2)
Detail B
Section C - C and D - D
View A - A
Base metal
Plating
(4)
c1
c
(6)
Thermal pad
(E)
E1
(6)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CTQ100G | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100GPBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100G | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 63CTQ100GPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CTQ100-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CTQ100PBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| 63CTQ100PBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CV22FS | 制造商:SUN Electronic Industries Corporation 功能描述:Cap Aluminum 22uF 63V 20% (6.3 X 7.7mm) SMD 49mA 1000h 105 C |
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