參數(shù)資料
型號： 63CTQ100
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： 63CTQ100
63CTQ100
Bulletin PD-20635 rev. B 06/06
3
www.irf.com
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage - V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(pF)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
Tj = 175C
Tj = 125C
Tj = 25C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
204060
80
100
125C
100C
75C
50C
25C
Tj = 175C
150C
100
1000
0
2040
6080
100
Tj = 25C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
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PDF描述
63CTQ100PBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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63SPB080 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
63SPB080A 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
63SPB100R 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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