參數(shù)資料
型號： 63CPQ100GPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 135K
代理商： 63CPQ100GPBF
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94243
4
Revision: 13-Aug-08
63CPQ100GPbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
120
130
140
160
170
180
150
Allowable
Case
Temperature
(°C)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
20
10
30
40
50
0
DC
See note (1)
Square wave (D = 0.50)
80 % rated V
R applied
0
5
20
25
15
10
30
Average
Power
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
10
50
20
30
40
0
DC
RMS limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
100
10 000
1000
I FSM
-
Non-Repetitive
Surge
Current
(A)
tp - Square Wave Pulse Duration (s)
100
1000
10 000
10
At any rated load condition
and with rated V
RRM applied
following surge
Current
monitor
High-speed
switch
D.U.T.
R
g = 25 Ω
+
Freewheel
diode
V
d = 25 V
L
IRFP460
40HFL40S02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
63CPQ100G 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CPQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
63CPQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CPQ100PBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CPQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
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參數(shù)描述
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